为什么在储能变流器PCS中SiC碳化硅MOSFET会加速替代IGBT！
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT储能变流器PCS，实现超高的储能变流器PCS平均效率，更小的储能变流器PCS体积重量！更低的储能变流器PCS成本！更高的储能变流器PCS功率密度！
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET单管适用于各类储能变流器PCS，比如电站集中式储能变流器PCS，工商业模块化储能变流器PCS，户用储能PCS等。
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
储能变流器PCS是连接储能电池系统和电网的双向电流可控转换装置，决定了新型储能系统的效率和安全，影响着新型储能系统的使用寿命。储能变流器的核心作用叠加新型储能电站装机规模攀升，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS享受市场快速扩张红利。目前市场竞争非常激烈，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅储能变流器PCS竞争优势较明显。
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET储能PCS替代IGBT模块方案。SiC以耐高压、耐高温、体积小、响应速度快等优势，规避了IGBT技术壁垒、产能受限的问题.
储能变流器技术发展集中在软件和硬件两大领域。构网型变流器的控制模式（算法）快速迭代。其主要应用在新能源配套和独立储能电站等场景，因为它可以稳定整个电网、改善系统稳定性，所以该技术在以上两个主要应用场景渗透比例高。国内主要构网型变流器厂商在该项技术上取得了一定突破。
构网型iC碳化硅MOSFET储能PCS硬件与构网型变流器控制模式紧密相关，iC碳化硅MOSFET储能PCS须具备较强的支撑能力，实现瞬间输出较大有功、无功电流，发挥较强的支撑作用，且有较快的响应速度。
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。
未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™单管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT单管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器，热管理电动压缩机驱动器，射频电源，PET电力电子变压器，氢燃料空压机驱动，大功率工业电源，工商业储能变流器，变频器，变桨伺服驱动辅助电源，高频逆变焊机，高频伺服驱动，AI服务器电源，算力电源，数据中心电源，机房UPS等领域与客户战略合作，倾佳电子（Changer Tech）全力支持中国电力电子工业发展！